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机译:厚栅极氧化物的pMOS剂量计在室温和高温响应下的伽马射线辐照和后辐照
Pejović Momčilo M.; Pejović Svetlana M.; Dolićanin Edin Ć.; Lazarević Đorđe;
机译:厚栅极氧化物对pMOS剂量计在室温下的伽玛射线辐照和后辐照以及升高的温度响应
机译:pMOS剂量计的连续伽马射线辐照和相应的后辐照退火
机译:高剂量范围RADFET的伽马射线辐照和辐照后响应
机译:二氧化硅和基于等离子体氮化的氧化物的pMOSFET的负偏置温度不稳定性所涉及的原子尺度缺陷。
机译:丙氨酸剂量计的辐照后研究
机译:房间内的γ射线照射和后照射以及具有厚栅极氧化物的pmOs剂量计的高温响应
机译:用于具有厚栅氧化层的通用CMOS技术的基于多时间可编程(MTP)PMOS浮栅的非易失性存储器件
机译:基于通用栅极CMOS技术和厚氧化层的基于多重时间可编程(MTP)PMOS浮栅的非易失性存储器
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